客戶咨詢熱線：
15270896115
小型濺射系統 SS-DC?RF301的產品特性分析
這是一種使用濺射（通常縮寫為濺射）的薄膜沉積裝置。 濺射成膜的特點是飛入基板的顆粒具有相對較大的能量，因此可以產生具有高附著力的強膜。 另一方面，由于等離子體是用氬氣和其他物質制成的，并且這作用于基材，因此基板表面的粗糙度可能是一個問題。
該裝置是一種小型濺射裝置，配備一個2“磁控管陰極和一個板加熱機構。 所有功能都封裝在JIS機架尺寸中，以追求節省空間和易用性。 我們還擁有與 UHV 兼容的飛濺設備，并配有交換室。
濺射是薄膜沉積的一個重要和突出的過程。在這個過程中，要鍍膜的基片被放置在一個含有惰性氣體（通常是氬氣）的真空室中，并對靶材施加負偏壓，在真空室中形成等離子體。此時，目標被連接到陰極，而基片被連接到陽極。
來自等離子體的離子被加速到陰極，它們以足夠的能量撞擊目標，使一些原子或分子移位。這些來自靶材的濺射材料穿過腔體，沉積在基片表面。有時反應氣體（例如氧氣或氮氣）被加入到氬氣中，同樣被施加負偏壓形成等離子體，與真空室中的濺射層原子發生反應。上述反應所產生產物沉積在基片表面這個過程被稱為反應性濺射。
雖然體積小，但具有與成熟的濺射設備相同的規格和性能。
憑借其緊湊、輕巧和簡單的設計，它可以安裝在辦公桌的一半左右的空間內。
電路板上下機制允許您任意設置目標和電路板之間的距離。
基板加熱可以在高溫下進行。
標準冷水機組僅允許使用電力和燃氣運行。
法蘭可互換，可以重新組合為向上濺射和向下濺射。
濺射電源可選擇直流或射頻。
