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在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，微米級的內(nèi)部缺陷足以讓整批晶圓報(bào)廢。一位工藝工程師曾望著檢測報(bào)告上的異常信號點(diǎn)，發(fā)出這樣的感嘆。
隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)不斷向5納米、3納米甚至更小尺寸邁進(jìn)，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度和集成度呈指數(shù)級增長。當(dāng)芯片結(jié)構(gòu)從二維平面走向三維堆疊，當(dāng)硅片厚度不斷減薄以提高性能，內(nèi)部缺陷的檢測成為影響良率和可靠性的關(guān)鍵瓶頸。微裂紋、空洞、摻雜不均勻、晶體缺陷……這些隱藏在硅晶體內(nèi)部的瑕疵，如同精密機(jī)械中的暗傷，常規(guī)光學(xué)檢測手段對此無能為力。
正是在這一行業(yè)痛點(diǎn)下，日本NPI公司推出的PIS-UHX-AIR近紅外光源，以其卓1越的穿透能力和精準(zhǔn)的檢測性能，成為半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷檢測的“火眼金睛"。
近紅外光的獨(dú)特優(yōu)勢在于——硅材料在近紅外波段（特別是1100nm以上）具有較高的透過率，這使得光線能夠穿透硅晶片，直接探測內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
PIS-UHX-AIR采用150W高功率鹵素?zé)粼O(shè)計(jì)，能夠穩(wěn)定輸出400nm-1700nm的寬光譜照射，峰值波長聚焦1000nm近紅外區(qū)域。這一波長范圍恰好適配半導(dǎo)體材料的光學(xué)特性——可穿透部分封裝層或晶圓表層，清晰識別內(nèi)部裂紋、氣泡、雜質(zhì)等隱藏缺陷，解決了傳統(tǒng)光源難以檢測深層問題的行業(yè)難題。
與普通光源不同，PIS-UHX-AIR實(shí)現(xiàn)了850-1650nm多波長精確控制，用戶可根據(jù)不同硅片厚度和檢測需求，選擇最合適的波長進(jìn)行探測。產(chǎn)品提供三種峰值波長可選的燈型，配合濾光片簡易脫著機(jī)構(gòu)，支持任意波長的定制化照射。特別是在1100nm附近的關(guān)鍵波段，光源輸出經(jīng)過專門優(yōu)化，確保了對硅材料的穿透效果-1。
在半導(dǎo)體生產(chǎn)線的連續(xù)作業(yè)場景中，光源的穩(wěn)定性與耐用性直接影響檢測效率。PIS-UHX-AIR采用直流點(diǎn)燈方式，電壓安定度達(dá)到±0.1%（定格輸入電壓±10%時(shí)），確保長時(shí)間運(yùn)行過程中照射強(qiáng)度均勻、波長穩(wěn)定，有效避免因光源波動(dòng)導(dǎo)致的檢測誤差，為良率控制提供可靠保障。
集成強(qiáng)度反饋系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測并調(diào)整輸出光強(qiáng)，確保長時(shí)間連續(xù)工作下的穩(wěn)定性。脈沖照明功能則支持與檢測設(shè)備的高速同步，實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下的清晰成像。
可調(diào)電壓設(shè)計(jì)（2-15V）允許工程師根據(jù)實(shí)際檢測需求，精確控制光強(qiáng)和穿透深度。無論是針對不同材質(zhì)的晶圓檢測，還是多樣化封裝工藝的質(zhì)量驗(yàn)證，都能實(shí)現(xiàn)“精準(zhǔn)匹配"，避免了單一波長光源的應(yīng)用局限。
在1100nm處，硅片呈半透明狀態(tài)，配合PIS-UHX-AIR與InGaAs相機(jī)，可檢出<5μm的隱裂，實(shí)現(xiàn)0.5m/s的在線檢測速度。
光纖照明設(shè)計(jì)打破了傳統(tǒng)光源的安裝限制，可根據(jù)檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)需求靈活布置出射光，無論是大型檢測儀器的集成應(yīng)用，還是小型實(shí)驗(yàn)裝置的搭配使用，都能輕松適配，極大降低了設(shè)備改造與安裝成本。
其緊湊的外形尺寸（124×165×224mm）與2.7kg的輕量化設(shè)計(jì)，也為檢測設(shè)備的集成與移動(dòng)提供了便利，尤其適合空間有限的生產(chǎn)線或需要頻繁調(diào)整檢測工位的場景。
面對高功率光源必然產(chǎn)生的熱管理挑戰(zhàn)，強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻系統(tǒng)確保了設(shè)備在長時(shí)間高強(qiáng)度工作條件下保持穩(wěn)定的光學(xué)性能。內(nèi)置低噪聲風(fēng)扇，0-40℃環(huán)境溫度下保持燈殼表面<45℃，避免熱漂移導(dǎo)致的光譜偏移。運(yùn)行時(shí)噪音極低（≤45 dB(A)），即使在精密實(shí)驗(yàn)室或?qū)Νh(huán)境噪音要求較高的潔凈車間中使用，也不會產(chǎn)生干擾。
在晶圓制造環(huán)節(jié)，PIS-UHX-AIR的近紅外照射能力可穿透晶圓表層，精準(zhǔn)檢測出內(nèi)部的微小裂紋、晶格缺陷及雜質(zhì)分布，幫助工程師及時(shí)發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)過程中的問題，避免不合格晶圓流入后續(xù)工序，從而降低制造成本、提升整體良率。
在一家晶圓代工廠的檢測線上，技術(shù)人員將其集成到自動(dòng)光學(xué)檢測系統(tǒng)中，專門用于FinFET結(jié)構(gòu)的3D芯片內(nèi)部缺陷探測。通過精確選擇1300nm和1450nm的工作波長，檢測系統(tǒng)成功識別出了多批晶圓中的微米級內(nèi)部空洞，這些缺陷在使用傳統(tǒng)檢測手段時(shí)全被遺漏。
在半導(dǎo)體封裝檢測中，PIS-UHX-AIR能夠清晰識別封裝層與芯片之間的貼合度、引線鍵合的完1整性，有效排查虛焊、脫焊等隱患。特別是能夠清晰成像硅通孔內(nèi)的填充缺陷和界面分層問題，為異構(gòu)集成提供了可靠的質(zhì)量保障。
實(shí)戰(zhàn)數(shù)據(jù)表明，采用PIS-UHX-AIR后，檢測時(shí)間相比之前的方案縮短了約40%，同時(shí)將缺陷漏檢率降低了70%以上。
這一提升直接轉(zhuǎn)化為企業(yè)的競爭優(yōu)勢：
直接價(jià)值：高精度照射能力減少了檢測誤差，降低了不合格產(chǎn)品的返工率與報(bào)廢率，直接節(jié)約生產(chǎn)成本；穩(wěn)定的性能與長使用壽命，減少了光源更換頻率，降低了設(shè)備維護(hù)成本與停機(jī)時(shí)間，提升了生產(chǎn)效率。
間接價(jià)值：多場景適配能力與靈活的集成設(shè)計(jì)，幫助企業(yè)避免了因檢測設(shè)備升級而導(dǎo)致的大規(guī)模改造，延長了現(xiàn)有檢測設(shè)備的使用壽命。精準(zhǔn)的檢測數(shù)據(jù)為企業(yè)優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品質(zhì)量提供了可靠依據(jù)，助力企業(yè)在高中端半導(dǎo)體市場中占據(jù)優(yōu)勢地位。
對于國際化布局的半導(dǎo)體企業(yè)而言，PIS-UHX-AIR的寬電壓輸入特性（支持AC85V-264V） 極1具實(shí)用價(jià)值，可適配不同地區(qū)的電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)，無需額外配備電壓轉(zhuǎn)換器，降低了跨國生產(chǎn)的設(shè)備適配成本。內(nèi)置功率因數(shù)校正IC，功率因數(shù)達(dá)到0.95以上，符合高標(biāo)準(zhǔn)的諧波要求。
當(dāng)硅片在檢測臺上緩緩移動(dòng)，近紅外光穿透晶體，內(nèi)部結(jié)構(gòu)的每一處細(xì)節(jié)都在成像系統(tǒng)中清晰呈現(xiàn)。那些曾隱藏在視線之外的微裂紋、空洞和界面缺陷，如今無處遁形。
半導(dǎo)體制造正在進(jìn)入一個(gè)“全透視"檢測時(shí)代，不再滿足于表面，而是追求從內(nèi)到外的可靠。在這條追求極1致的道路上，日本NPI PIS-UHX-AIR近紅外光源，以其精準(zhǔn)的照射性能、靈活的場景適配、穩(wěn)定的運(yùn)行表現(xiàn)，成為照亮芯片內(nèi)部世界的那束光，為半導(dǎo)體行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入持續(xù)動(dòng)力。
無論是滿足當(dāng)前高精度、高效率的檢測需求，還是適配未來半導(dǎo)體工藝的升級迭代，PIS-UHX-AIR都將成為企業(yè)提升核心競爭力的重要助力。這，就是半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷檢測的“火眼金睛"。
